| Основні | |
|---|---|
| Країна виробник | Китай |
| Монітор | |
| Монітор | TFT |
Тестер радіокомпонентів LCR-T7 TFT
Особливості:
Кольоровий TFT екран 1,8"
Автоматичне виявлення NPN і PNP транзисторів, конденсаторів, резисторів, діодів, тріодів, n-канальних та p-канальних MOSFET, IGBT, JFET, ТРІАК та батарей, резисторів та конденсаторів та інших компонентів.
Вимірювання опору, ємності, індуктивності, прямої напруги переходу в діодах та біполярних транзисторах, ємності та порогової напруги затвора в польових транзисторах, виявлення захисних діодів у транзисторах.
Живлення від вбудованого акумулятора.
Розряджайте конденсатори до тестування!
Вимірник індуктивності
1. Тест напівпровідників, конденсаторів, резисторів, індуктивностей виконується за одну операцію – натисканням кнопки. Автоматичне вимкнення після тесту.
2. Споживаний струм після відключення не більше 20nA.
3. Діапазон вимірювання резисторів становить від 0,1 до 50 МОм з точністю 1%.
4. Діапазон вимірювання ємності становить від 25рF до 100mF та точністю 1%.
5. Діапазон вимірювання індутивності становить від 0,01mН до 20H і точністю 1%.
Тестер транзисторів
6. Автоматичне визначення NPN, PNP біполярних транзисторів, N-канальних і Р-канальних MOS FET, JFET транзисторів, діодів, подвійних діодів, тиристорів невеликої потужності, односпрямованих та двонаправлених тиристорів.
7. Автоматичне визначення цоколівки напівпровідників.
8. Вимірювання в біполярних транзисторах ¦коефіцієнта посилення та порогової напруги база – емітер.
9. Виявлення захисних діодів у біполярних та MOS FET транзисторах.
Мультітестер напівпровідників
10. Ідентифікація транзисторів Дарлінгтон.
11. Вимірювання порогової напруги та ємності затвора в MOSFET транзисторах.
12. Вимірювання ESR конденсатора з роздільною здатністю 0,01 Ом.
ESR вимірювач
13. Вимірювання подвійних резисторів (потенціометрів) З відображення на дисплеї символів резистора.
14. Відображення символів подвійних діодів з вимірюванням прямої напруги кожного переходу.
15. Визначення комбінованих світлодіодів.
16. Визначення напруги пробою в стабілітронах з напругою не більше 4.5V.
Технічні характеристики:
- Діапазон розгортки: 0,1 МГц
- Напруга: 3,7 В
- Дисплей: 160*128 TFT
- Діапазон діодів: <4,5 В
- Стабілітрон: Зона виявлення транзистора: 0,01-4,5 В
- Зона виявлення стабілітрона: 0,01-30 В
- Діапазон симистора: IGT < 6 мА
- Ємність: 25пФ-100мФ
- Резистор: 0,01-5050 МОм
- Індуктивність: 0,01 мГн-20Гн
- Батарея: 0,1-4,5 В
- Акумулятор: вбудований, 3.7 В, 300 мАг
Комплектація:
- тестер
- набір для перевірки (світлодіод, ємність, опір) – 1 компл.
- micro USB кабель для заряджання – 1 шт
- щупи - 1 комплект (3 шт.)
- Ціна: 845 ₴






